記事
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1 December 2017
継続的開発のプロセスはあらゆる会社の成功を支えますが、進歩のスピードと最終製品の品質を主に決定するのはパートナーとの関係です。
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通す状態から通さない状態に切り替えるパワー半導体デバイスのスイッチングパラメーター
11 March 2017
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27 January 2017
本記事では、銀ナノ粒子を使用したシリコン結晶とモリブデンディスクの低温技術の使用により、半導体結晶直径が80 mm以上のパワー半導体デバイスの信頼性を向上させる問題について説明しています。 得られた継ぎ目の継ぎ目の多孔性の一部と実験サンプルの繰り返し抵抗を調査し、接合プロセスの最適な圧力と温度の範囲を決定しました。
