1996
ー株式会社「Proton-Electrotex」の設立年。当社は、マイクロエレクトロニクス分野に於ける経験を持ち、長年にわたり科学・実用活動を行っていた専門家によって設立されました。才能ある学者チューリン・オレッグ・アナトリエヴィチが社長に選任され、短期間で高技能専門家のチームを組むことができました。当初から当社は製品およびサービスの高品質を基準にしていました。若いチームの第一のプロジェクトは、1996年における高速半導体デバイスの生産となりました。
About company
当社は1996年に設立され、公開株式会社「Proton」の工場で製造施設を借りて生産開始しました。それ以来、Proton-Electrotex社は、フールサイクル生産のために自社インフラを開発してきました。当社の製造施設は、近代的技術ライン、自社製造の測定設備などを完備し、電子製品およびマイクロエレクトロニクス製品に対する要求を満たすようなクリーンテクノロジー用のスペースが設けられています。
本社および主な製造施設はモスクワから南へ360キロ離れているオリョール市にあります。また、2010年にモスクワで当社付属の科学技術センターが設立され、近代的な産業のための新規機器の開発に取り組んでいます。
当社の主な製品は、整流、アバランシェ、高速の半導体ダイオード及びサイリスタ（ピン型、ディスク型、モジュール型）です。溶接分野向けに、電流負荷に強い、静的ロスが低い溶接用ダイオード（ケースなし又はセラミックケース入り）を生産しています。また、2016年に、2極機器を押し出すMIFAとMIAAケース入りのIGBTモジュールの製造を開始しました。それまで、IGBTの大半は海外からロシアへ輸入されていました。
Proton-Electrotex社製の機器の全ては、圧入構造であり、はんだ付け構造と違って機器のより長い寿命を確保します。
半導体素子を製造する際に、合金技術はもちろん、より進歩的なシンタリング技術、つまり銀ナノ粒子パウダを使った半導体素子とモリブデン温度補正構造との低温焼結も使用されます。
顧客の要望に応じて、各種機器に空冷式冷却器を内蔵することができます。また、顧客のリクエストに従って、当社の設計者は、冷却器（空冷式・水冷式とも）、保護システムや制御システムを含む、半導体機器をベースにする各種適用の電力装置を開発し、製造します。
株式会社「Proton-Electrotex」の歴史
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1997
・冷却器付きの完成装置に対する需要が高くなったきたので、自社において機械製造も開始しました。1997年末には、様々な電力装置を1万台以上消費者に供給しました。
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1998
・当社は、ロシアの電子工業のリーダになりました。
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1999
・非同期電動機用の周波数変換器の製造開始。
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2000
当社の技術への投資により、製品品質と短いリードタイムの最適なバランスが確保され、世界市場への参入が可能になります。
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2001
・初の海外代表者GvA Leistungselektronik GmbH（ドイツ）との契約締結。
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2002
当社の品質マネジメントシステムは、国際標準ISO 9001認証を取得しました。
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2003
・モジュール型の電力半導体装置の製造開始。
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2006
・海外のパートナーにより早くて高品質のサービスが提供できるように、株式会社「Proton-Electrotex貿易商社」が設立されました。
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2007
・当社の環境マネジメントシステムは、国際標準ISO 14001の要求を満たし、認証を取得しました。
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2010
・中国の河北省において中露共同企業「Hebei Proton-Electrotex Electronic Co., Ltd」を設立。
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2016
・MIFAとMIAAケース入りのIGBTモジュールの製造開始。これ以前は、IGBTの95% は海外からロシアに出荷されていました。
