パワー機器の信頼性を向上させるための銀の低温焼結
27 January 2017
Dmitry Titushkin
Alexander Stavtsev
Konstantin Stavtsev
Alexey Surma
本記事では、銀ナノ粒子を使用したシリコン結晶とモリブデンディスクの低温技術の使用により、半導体結晶直径が80 mm以上のパワー半導体デバイスの信頼性を向上させる問題について説明しています。 得られた継ぎ目の継ぎ目の多孔性の一部と実験サンプルの繰り返し抵抗を調査し、接合プロセスの最適な圧力と温度の範囲を決定しました。