サイリスタ

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TFIS153-1000

サイリスタ

VDRM/VRRM [V min]: 1000
VDRM/VRRM [V max]: 1400
ITAV [A]: 1000
Tс: 78
VTM (Tc=25°С) [V]: 2.50
ITM (Tc=25°С) [A]: 3140
tq [μs]: 10.0
Tjmax [°С]: 125
Rthjc [°С/W]: 0.0210
Package: T.D2
Design: ディスク
Type: 高速
データシート:

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  • 説明

    高速高周波サイリスタ低い動的ロス。標準ケース。
    特徴:
    ・高速パルスサイリスタよりオン・オフ時間の値が低いです。
    ・高速パルスサイリスタより逆回復充電の値が低いです。
    ・Di/dtの高スルーレートで電流パルスをスイッチングできます。
    ・Du/dtの高スルーレートで電圧をブロッキングできます。

  • 用途

    短いオン・オフ時間および、高い臨界オフ電圧上昇率と高い臨界オン電流上昇率を必要とする電力装置で使われます。このタイプのサイリスタは、周波数が高い状態で高負荷能力を備えています。高速サイリスタは、一般的な電気機械式リレーや接触器の代わりになり、高速のパルス発生、小型化や省エネおよび、雑音がないことがその特徴です。


推奨ヒートシンク

О153, О253

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