POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
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サイリスタ

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サイリスタ

VDRM/VRRM [V min]: 1400
VDRM/VRRM [V max]: 2200
ITAV [A]: 1000
Tс: 79
VTM (Tc=25°С) [V]: 2.35
ITM (Tc=25°С) [A]: 3140
tq [μs]: 20.0
Tjmax [°С]: 125
Rthjc [°С/W]: 0.0210
Package: T.D2
Design: ディスク
Type: 高速
推奨ヒートシンク: О153О253

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  • 文書と証明書
    • データシート
  • 説明

    高速サイリスタ低い動的ロス。標準ケース。
    特徴：
    ・オフ時間の低い値。
    ・静的ロスも動的ロスも低いです。
    ・陽子照射によって機器の主要な性質を向上させます。

  • 用途

    加熱および金属溶融のアーク溶接の誘導装置、電気交通機関、交流の電気駆動、無停電電源装置、サイリスタの短いオン・オフ時間を必要とする電力装置で使われます。

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Proton-Electrotex

住所: 〒302040、ロシア、オリョール州、オリョール市、Leskova str., 19, 27, 14号室

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