サイリスタ
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T433-250
サイリスタ
| VDRM/VRRM [V min]: | 3000 |
| VDRM/VRRM [V max]: | 3600 |
| ITAV [A]: | 250 |
| Tс: | 100 |
| VTM (Tc=25°С) [V]: | 2.50 |
| ITM (Tc=25°С) [A]: | 785 |
| VT(TO)/Tjmax [V]: | 1.20 |
| rT/Tjmax [mΩ]: | 2.100 |
| tq [μs]: | 250 |
| Tjmax [°С]: | 125 |
| Rthjc [°С/W]: | 0.040 |
| Package: | T.B3 |
| Design: | ディスク |
| Type: | 位相制御 |
| 推奨ヒートシンク: | O143O243O343 |
