サイリスタ
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サイリスタ T175-200
サイリスタ
| VDRM/VRRM [V min]: | 100 |
| VDRM/VRRM [V max]: | 1800 |
| ITAV [A]: | 200 |
| Tс: | 102 |
| VTM (Tc=25°С) [V]: | 1.45 |
| ITM (Tc=25°С) [A]: | 628 |
| VT(TO)/Tjmax [V]: | 1.027 |
| rT/Tjmax [mΩ]: | 0.641 |
| tq [μs]: | 125 |
| Tjmax [°С]: | 125 |
| Rthjc [°С/W]: | 0.0850 |
| Package: | T.SB3 |
| Thread/ Thread length/The size of the key: | - 54* |
| Design: | ピン |
| Type: | 位相制御 |
- 文書と証明書
- データシート サイリスタ T175-200
- 使用の詳細 PDFを開く
- デバイスのSTEPモデル サイリスタ T175-200
- 説明
標準構造の気密セラミックケース。低い導電損失。Tjmax = 125 °C。
- 用途
機器は、一般目的の電気装置や無線電子装置において、産業周波数および高い周波数の直流・交流の回路で使われます。
