IGBTモジュール
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IGBT MISV-SS33SG-1200N
IGBTモジュール
| VCES [V]: | 3300 |
| ICnom [A]: | 1200 |
| テクノロジー: | Trench-FS |
| 構成: | ダブルスイッチ |
| 資格: | Traction |
| 寸法 （幅/長さ） [mm]: |
MISV (140/130) |
| 生産の確認（719年法令）: | 登録簿に登録 |
- 文書と証明書
- データシート IGBT MISV-SS33SG-1200N
- 使用の詳細 PDFを開く
- デバイスのSTEPモデル IGBT MISV-SS33SG-1200N
- 説明
IGBT module high-power & increased rated insulation voltage 10.4 kV
- Low VCE(sat) value
- Low EMI
- Fast and soft reverse recovery
- AlSiC baseplate
- AlN DBC substrate
- Ultrasonically welded power terminals
- High rated insulation voltage – 10.4 kV
- RoHS compliant
- 用途
- Auxiliary power systems for rail transport
- Auxiliary power systems for public transport
- Industrial equipment
