サイリスタおよびダイオードモジュール
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    MD/T4-1000-12-D
サイリスタおよびダイオードモジュール
| VDRM/ VRRM [V]: | 1200 | 
| IFAV/ITAV (Tс,°C) [A]: | 1000(83) | 
| VFM/VTM (Tc=25°С) [V]: | 1.35 | 
| IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: | 3140 | 
| VT(TO)/Tjmax [V]: | 0.814 | 
| rT/Tjmax [mΩ]: | 0.127 | 
| tq [μs]: | 160 | 
| Tjmax [°С]: | 140 | 
| Rthjc [°С/W]: | 0.0500 | 
| Package: | M.D | 
| Baseplate width/length [mm]: | 77/150 | 
| Design: | 二位置 | 
| Type: | サイリスタ - ダイオード | 
- 文書と証明書
- データシート MD/T4-1000-12-D
 
 - 説明
圧入構造、高い電力温度サイクル耐久性、様々な入力スキーム(電気原則)が可能。Tj=140 °C。
 - 用途
モジュールは電力変換器および、様々なパワー電力装置の他の直流・交流回路で使われます。半導体素子の必要な圧入は構造上で確保されているので、モジュールの組立が簡単になります。一台の冷却器で複数のモジュールが使用できることによって装置全体を小型化できます。
主要な適用分野:
・整流ブリッジ
・交流電力調整器
・直流電動機の制御
・電源
・電気駆動 




      
      
      