サイリスタおよびダイオードモジュール
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MD/T3-160-30-C1
サイリスタおよびダイオードモジュール
| VDRM/ VRRM [V]: | 3000 |
| IFAV/ITAV (Tс,°C) [A]: | 160(88) |
| VFM/VTM (Tc=25°С) [V]: | 2.50 |
| IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: | 785 |
| VT(TO)/Tjmax [V]: | 1.20 |
| rT/Tjmax [mΩ]: | 2.300 |
| tq [μs]: | 300 |
| Tjmax [°С]: | 125 |
| Rthjc [°С/W]: | 0.1100 |
| Package: | M.C1 |
| Baseplate width/length [mm]: | 50/115 |
| Design: | 二位置 |
| Type: | サイリスタ - ダイオード |
- 文書と証明書
- データシート MD/T3-160-30-C1
- 説明
圧入構造、高い電力温度サイクル耐久性、様々な入力スキーム（電気原則）が可能。Tj=125 °C。
- 用途
モジュールは電力変換器および、様々なパワー電力装置の他の直流・交流回路で使われます。半導体素子の必要な圧入は構造上で確保されているので、モジュールの組立が簡単になります。一台の冷却器で複数のモジュールが使用できることによって装置全体を小型化できます。
主要な適用分野：
・整流ブリッジ
・交流電力調整器
・直流電動機の制御
・電源
・電気駆動
