MOSFET (SiC) モジュール
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MCDA-HBS12-I600N-C
MOSFET (SiC) モジュール
| VCES [V]: | 1200 |
| ICnom [A]: | 600 |
| テクノロジー: | Trench-FS |
| 資格: | Industrial |
| 寸法 （幅/長さ） [mm]: |
MCDA (62/152) |
| 製品ステータス: | すぐに販売されています |
- 文書と証明書
- データシート MCDA-HBS12-I600N-C
- 説明
• SiC MOSFET and SiC SBD
• Low inductance
• Scheme — Half-Bridge
• Switching cell topology
• Low RDS(on) value
• Optimized control circuits
• AlN Substrates
• Copper baseplate
• Industry standard package
• Low static and dynamic losses
• Fast and clean switching
• Low Rth(j-c) value
• High thermal cycling performance
- 用途
• Inverters for RES
• DC/DC converters, inverters
• Motor drives
• Electric transport
