MOSFET (SiC) モジュール

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MCDA-HBI12-I1000N-A

MOSFET (SiC) モジュール

VCES [V]: 1200
ICnom [A]: 1000
テクノロジー: Trench-FS
資格: Traction
寸法
(幅/長さ) [mm]:
MCDA (62/152)
製品ステータス: すぐに販売されています

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  • 文書と証明書
  • 説明

    • SiC MOSFET module in industry standard package

    • Low inductance ​(​

    • Scheme — Half-Bridge

    • Switching cell topology

    • Low RDS(on) value

    • Optimized control circuits

    • AlN Substrates

    • AlSiC Baseplate Advantages

    • Industry standard package

    • Low static and dynamic losses

    • Fast and clean switching

    • Low Rth(j-c) value

    • High thermal cycling performance

  • 用途

    • Inverters for RES

    • DC/DC converters, inverters

    • Motor drives

    • Electric transport

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