MOSFET (SiC) モジュール
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MCAR-HB12-I120-PB
MOSFET (SiC) モジュール
| VCES [V]: | 1200 |
| ICnom [A]: | 120 |
| テクノロジー: | Trench-FS |
| 資格: | Automotive |
| 寸法 （幅/長さ） [mm]: |
MCAR (37/34) |
| 製品ステータス: | すぐに販売されています |
- 文書と証明書
- データシート MCAR-HB12-I120-PB
- 説明
SiC MOSFET module in transfer-molded package 1200 V 120 A Half-Bridge
• Automotive qualification
• Low inductance (
• Half-bridge configuration
• Si3N4 AMB Substrate
• Isolation 4000 V
• Ease of installation and parallel connection
• Low Rth(j-c), Rth(c-h) value
• Low static and dynamic losses
• High thermal cycling performance
- 用途
• Inverters for RES
• DC/DC converters, inverters
• Motor drives
• Electric transport
